在电动汽车领域，弗劳恩霍夫美国研究中心在2024年取得突破性进展：科研团队成功利用人造金刚石制备出晶圆级纳米薄膜（厚度不足发丝直径的1/100），并将其集成至电子元件中。实验数据显示，该技术可将局部热负荷降低至原有水平的1/10，从而显著提升电动汽车的道路性能与使用寿命，同时缩短电池充电时间。

你是否有过这样的经历：夏天捧着手机追剧，半小时后被手机烫到手？打游戏正到关键时刻，手机突然卡成PPT？别急，科学家们找到了一位“救世主”——金刚石！没错，就是珠宝店里亮闪闪的钻石！但它这次不是象征着爱情，而是来保护你的手机、电脑甚至未来的宇宙飞船。

最后，中国率先突破8英寸技术壁垒，不仅标志着我国在超宽禁带半导体领域的技术进步，更为我国氧化镓产业在全球半导体竞争中抢占了先机，有力推动我国在全球半导体竞争格局中占据优势地位。

1893年，法国化学家亨利·莫桑在一个陨石坑中首次发现了这种矿物质。它的高硬度、高折射率和高色散率，使其在视觉上格外引人注目。后来的研究发现这是一种全新的碳化硅（SiC）形式。为了纪念亨利·莫桑博士的这一重要发现，国际上于1905年以他的名字命名了这 ...

文章大纲宽禁带半导体概述 ·宽禁带半导体特征 ...

[导读]在半导体技术持续迭代的进程中，碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)器件作为第三代半导体的杰出代表，凭借其卓越的性能优势，正逐步改写着电子产业的格局，成为推动众多领域变革的关键力量。深入了解这两种器件的特性、应用现状以及未来市场走向，对于把握 ...

过去一年，碳化硅/氮化镓在技术演进与市场应用的深度耦合中持续突破，随着工艺成熟与终端场景拓展，其产业化进程持续 ...

本文引用地址： 为此，复旦大学微电子学院张卫教授、江南大学集成电路学院黄伟教授合作开展了Si CMOS+GaN单片异质集成的创新研究，并在近期国内 ...

香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上报告了多项基于宽禁带半导体氮化镓，碳化硅的最新研究进展。研究成果覆盖功率器件技术和新型器件技术： 高速且具备优越开关速度 ...

化合物半导体是由两种或多种元素化合而成、并具有半导体性质的材料，主要包括第二代半导体材料GaAs以及第三代半导体材料SiC、GaN等。 化合物半导体产业链可主要分为晶圆制备、芯片设计、芯片制造以及芯片封测等环节，其中晶圆制备进一步细分为衬底制备 ...