本文所介绍的 GaN微波二极管采用 AlGaN/GaN异质结材料,强自发极化与压电极化在异质结界面产生 2-DEG,具备约 10 13 /cm 2 量级的电子面密度和高达2000cm 2 /V·s的迁移率,这些优势都更有利于其制作微波二极管,发展成熟的 GaN微波HEMT器件 ... Circuit With Lateral GaN Schottky Diode ...