2023年9月，许多人为“光刻厂”的构想喜大普奔。据说中国可以另辟蹊径，不是用一台台的光刻机，而是用加速器做一个巨大的光源，可以供28 nm、14 nm、7 nm、5 ...

1. 中国科学家提出ssmb-euv光源，有望成为下一代光刻厂技术，实现28 nm、14 nm、7 nm等多种芯片制程使用。 2. ssmb-euv光源具有高功率、适中造价和周长等优点，相较于lpp-euv光源具有明显优势。 3. 然而，ssmb-euv光源仍面临诸多难点，如微聚束在储存环中产生与维持、ssmb相干辐射发光等问题，需要后续研究。

哈尔滨工业大学发布消息，EUV光刻机的光源技术取得了重大突破——“放电等离子体极紫外光刻光源”项目荣获了黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖。 早在2023年，哈尔滨工业大学航天学院某研究团队研发的"放电等离子体极紫外光刻光源"项目脱颖而出。

近日，哈尔滨工业大学（哈工大）在半导体制造领域取得了重大技术突破，研发的"放电等离子体极紫外光刻光源"项目荣获黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖。这意味着中国在全球高端半导体设备制造中进一步缩小了与国际先进水平的差距，展现出令人瞩目的科研实力与创新能力。

香港知名科技媒体南华早报报道：美国对中国芯片产业的限制愈演愈烈，但中国科学家们通过开辟创新路径，在极紫外（EUV）光刻技术领域取得了重大突破。据香港观察人士称，2023年12月30日，哈尔滨工业大学的研究团队在黑龙江省高校科研人员创新成果转化大赛中荣获一等奖，展示了他们研发的"放电等离子体极紫外光刻光源"技术。

在电力消耗方面，FEL光源也要远低于EUV-LPP光源。 不过，这项技术也与前文提到的激光器类似，解决的是EUV光源的问题。 值得注意的是，EUV-FEL还可 ...

相比LPP技术，LDP方法更为简单、成本更 ... 自2008年以来，赵永鹏一直致力于放电等离子体EUV光源的研发。此次获奖表明他的团队可能在这一领域取得 ...

这背后是看到了国产EUV光刻机技术突破越来越近 ... 美国Cymer公司使用的是传统的LPP技术，而哈工大使用是的则是DPP技术，也就是放电等离子体极 ...

目前的EUV光刻机系统当中的EUV光源，被称为激光等离子体EUV光源（EUV-LPP），是通过30千瓦功率的二氧化碳激光器轰击以每秒50000滴的速度从喷嘴内喷 ...

最终能够提供足够明亮的 EUV 光源的技术称为激光等离子体 (EUV-LPP)。它使用二氧化碳激光器每秒数千次将熔融的锡滴喷射成等离子体。等离子体发射 ...