金融界2025年1月31日报道，苏州华太电子技术股份有限公司近日在国家知识产权局申请了一项名为《一种GaN HEMT器件》的专利（公开号CN119384002A），标志着该公司在高电子迁移率晶体管（HEMT）领域的技术进步。本次专利申请于2024年12月提交，涉及一种新的GaN HEMT器件结构，可能为未来的半导体技术应用提供新的解决方案。

2024年12月，苏州华太电子技术股份有限公司（简称“苏州华太”）申请了一项新专利，题为“一种GaN HEMT器件”，该专利在1月底正式公布，引起了半导体行业的广泛关注。这项技术的提出不仅展示了华太在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件领域的创新能力，也为相关技术的发展注入了新的活力。 GaN HEMT器件的核心创新 根据专利摘要，华太的GaN HEMT器件采用了一种独特的结构设计， ...

增加功率器件的电流通常意味着增加其物理尺寸以保持可接受的功率密度。具有更高击穿电压的材料可以制造更小的器件，因为它们可以承受更高的功率密度。然而，器件之间的间距仍然受到需要充分隔离的限制。垂直器件架构允许设计人员保持相邻器件之间的间隔，同时减少整体电 ...

1月10日，据外媒报道，日本名古屋大学和松下汽车系统公司的团队正在开发一种用于电动汽车 (EV) 的紧凑型车载充电器 (OBC)，该充电器采用了基于GaN单晶衬底的1200V 横向GaN HEMT器件。 近年来，为了缩短充电时间，电动汽车电池的电压不断提高。为了应对这些趋势 ...

GaN HEMT和GaN MOSFET都是基于氮化镓(GaN)材料的半导体器件，但它们是不同的器件类型。 GaN HEMT代表高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor），它利用氮化镓材料的高电子迁移率来实现高速、高功率、高效率的操作。它具有低电阻和高开关速度的特点 ...

氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）具有低导通电阻和高开关速度的特点，特别适合于低电压和高频率应用。然而，在高压场景下，单一 GaN 器件性能 ...

截至9月30日，露笑科技股东户数14.29万，较上期减少6.49%；人均流通股13235股，较上期增加6.93%。2024年1月-9月，露笑科技实现营业收入27.84亿元，同比增长33.58%；归母净利润2.34亿元，同比增长24.05%。