金融界3月13日消息，有投资者在互动平台向聚灿光电提问：您好，聚灿光电作为一家LED芯片个封装的轻工业公司，这些年也在产品研发迭代上一路过关斩将，但……反观往年的财务报表，依旧有一些不如意的点，尽管近三年公司的毛利率在稳步攀升，但相比2017年(含)及之前的毛利率情况，还是差距很大，想问下公司需要多久能恢复到2 ...

前言在全球能源转型与绿色制造浪潮的推动下，氮化镓功率组件凭借其高频、高效、低损耗的特性，成为替代传统硅基器件的热门选择。然而，现有GaN组件受限于水平结构设计，难以实现与传统硅基或碳化硅组件相同的封装兼容性，导致系统升级成本高、设计复杂。台湾嘉和半导 ...

HKC 惠科宣布成功研发全球首款硅基 GaN 单芯集成全彩 Micro LED 芯片在微间距 LED 大屏直显领域的应用。这项技术基于立琻半导体 SiMiP 芯片共同研发 ...

增加低压器件的CGD之后，cascode器件具备通过栅极电阻实现开关速度控制的能力 用于栅极高压保护及光-电同步驱动的全GaN基半导体栅增强型 HEMT p-GaN栅增强型GaN基功率HEMT在近年来实现了快速发展和初步商业化，但该器件由于缺乏内在的栅极过压保护结构 ...

本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了GaN作为硅的替代方案在开关模式电源中的未来前景。如今，电源管理设计工程师常常会问道：现在应该从硅基功率开关转向GaN开关了吗？ 氮化镓(GaN)技术相比传统硅基MOSFET有许多优势。GaN是宽带隙 ...

如今，电源管理设计工程师常常会问道：现在应该从硅基功率开关转向GaN开关了吗？ 本文引用地址： 氮化镓(GaN)技术相比传统硅基MOSFET有许多优势。

IT之家 2 月 17 日消息，HKC 惠科今日宣布在高端显示领域取得突破，成功完成全球首款硅基 GaN 单芯集成全彩 Micro LED 芯片（IT之家注：下称 SiMiP ...

近日，HKC惠科在高端显示领域取得重大突破，成功完成全球首款硅基GaN单芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微间距LED大屏直显领域的应用的研发。该技术基于立琻半导体SiMiP芯片基础上的共同研发，提升了生产效率与显示效果，为行业提供更具竞争力的解决方案 ...

HKC惠科近期宣布了一项在高端显示领域的重大突破，成功将全球首款硅基GaN单芯集成全彩Micro LED芯片（简称SiMiP）应用于微间距LED大屏直显领域。

HKC惠科近期宣布，在高端显示技术领域取得了重大进展，成功将全球首款硅基GaN单芯集成全彩Micro LED芯片（简称SiMiP）应用于微间距LED大屏直显领域。