消息称三星电子推动西安工厂闪存工艺进一步升级：年内建成 V9 NAND ...
2 月 13 日消息，韩媒 SEDaily 昨日报道称，三星中国西安 NAND 闪存 工厂在将制程从第六代 V-NAND（IT之家注：136 层）转换至第八代（238 层）的基础上，还计划在年内建设第九代（286 层）产线。