根据 ASML 的数据,下一代深紫外光刻(DUV)系统使用 193 纳米波长的氩氟激光,可实现 38 纳米特征尺寸的打印;而 EUV 光刻使用 13.5 纳米波长的光,精度更高,但成本也更高。 与美光不同,三星和 SK 海力士在 DRAM ...
快科技3月11日消息,近日, 存储大厂美光正式发布1γ(gamma)10nm级DRAM内存之后,已经开始向Intel、AMD等客户交付1γ DDR5内存的样品,成为存储行业第一家达成这一里程碑的企业。
ASML 的 High NA EUV 设备“EXE:5000”是全球唯一能够提供此类设备的供应商,单台价格高达 5000 亿韩元(IT之家备注:当前约 24.88 亿元人民币)。该设备通过增大透镜和反射镜尺寸,将数值孔径(NA)从 0.33 提升至 0.55,显著提高了光刻精度,是 2 纳米及以下制程的必备工具。
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在内存技术的最新进展中,美光公司(Micron)已经成功地为英特尔(Intel)和AMD等客户提供了1γ(gamma)DDR5的样品,这一成就标志着美光在行业内率先实现了技术突破。
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美光交货1γ制程DRAM样品,仅一层EUV减少依赖内存大厂美光(Micron)发布1γ(gamma)先进制程后,2月送样给英特尔(Intel)和AMD等客户1γ(gamma)DDR5,为内存第一家完成里程碑的企业。
全球半导体巨头纷纷加速引入 High-NA EUV 设备,英特尔(Intel)在 2023 年率先采购了 ASML 的首台 High-NA EUV 设备,并已签订合同购买总计 6 台。据路透社报道,英特尔的前两台 High-NA EUV ...
3月14日消息,英特尔前CEO克雷格·贝瑞特(Craig Barrett)继此前在《财富》(Fortune)杂志上发文反对将英特尔分拆为芯片设计公司和晶圆代工业务之后,近日再度发文呼吁,不应该将英特尔业务分拆成两部分,尤其是Intel ...
如今,英特尔拿到了《芯片法案》最多的补贴,因为其寄托着美国“重塑芯片制造业”的热望,但数百亿美元的补贴也未能挽回英特尔目前的颓势,可见一个国家支柱产业中的领军者一旦错过战略转折点,代价是巨大的;而在人工智能这些新时代浪潮中,这个曾经的巨人步履蹒跚,也可视作美国高端制造业难以重振辉煌的一个缩影。
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