金融界2025年1月31日报道，苏州华太电子技术股份有限公司近日在国家知识产权局申请了一项名为《一种GaN HEMT器件》的专利（公开号CN119384002A），标志着该公司在高电子迁移率晶体管（HEMT）领域的技术进步。本次专利申请于2024年12月提交，涉及一种新的GaN HEMT器件结构，可能为未来的半导体技术应用提供新的解决方案。

2024年12月，苏州华太电子技术股份有限公司（简称“苏州华太”）申请了一项新专利，题为“一种GaN HEMT器件”，该专利在1月底正式公布，引起了半导体行业的广泛关注。这项技术的提出不仅展示了华太在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件领域的创新能力，也为相关技术的发展注入了新的活力。 GaN HEMT器件的核心创新 根据专利摘要，华太的GaN HEMT器件采用了一种独特的结构设计， ...

今年1月，苏州华太电子技术股份有限公司成功申请了一项名为"一种GaN HEMT器件"的专利，这标志着其在GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT ...

GaN HEMT和GaN MOSFET都是基于氮化镓(GaN)材料的半导体器件，但它们是不同的器件类型。 GaN HEMT代表高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor），它利用氮化镓材料的高电子迁移率来实现高速、高功率、高效率的操作。它具有低电阻和高开关速度的特点 ...

1月10日，据外媒报道，日本名古屋大学和松下汽车系统公司的团队正在开发一种用于电动汽车 (EV) 的紧凑型车载充电器 (OBC)，该充电器采用了基于GaN单晶衬底的1200V 横向GaN HEMT器件。 近年来，为了缩短充电时间，电动汽车电池的电压不断提高。为了应对这些趋势 ...

在 HEMT 中，2DEG 区域位于电容器的两个极板之间。在耗尽型器件中，当顶极板（栅极）为正时，它会在另一极板上感应出正电荷。负载流子（电子 ...

根据AI大模型测算露笑科技后市走势。短期趋势看，连续2日被主力资金增仓。主力没有控盘。中期趋势方面，下方累积一定获利筹码。近期该股有吸筹现象，但吸筹力度不强。舆情分析来看，目前市场情绪极度悲观。

芝能智芯出品随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段，氮化镓（GaN）凭借高电子迁移率和开关速度的优势，在低功耗和部分高压应用中展现出强大的竞争力。通过与硅（Si）和碳化硅（SiC）等材料的结 ...

氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）具有低导通电阻和高开关速度的特点，特别适合于低电压和高频率应用。然而，在高压场景下，单一 GaN 器件性能 ...

然而，当下 GaN 集成技术仍存在诸多局限。一方面，GaN HEMT 仅能作为 N 型晶体管运行，致使器件功能多样性匮乏，难以充分满足复杂的集成电路设计 ...