GaN HEMT采用AlGaN/GaN异质结结构，通过极化效应在界面处形成二维电子气（2DEG），从而实现高电子迁移率（可达2000 cm²/Vs）。其 ...

氮化镓(GaN)功率器件在低到中功率范围的应用中越来越广泛，包括移动设备电源适配器、数据中心电源供应以及电动移动设备。通常使用的是横向高电子迁移率晶体管(HEMT)。然而，将GaN功率器件的应用扩展到更高的电压和功率范围可能需要采用更优越的垂直结构。

本文件适用于适用于封装级GaN HEMT器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。 电子科技大学功率集成技术实验室 ...

随着新能源汽车（EV）的兴起，对车载电子系统的效率追求也越来越高，比如在高效能的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器。OBC负责将外部电源（如家庭充电桩提供的交流电）转换为车辆电池所需的直流电，而DC-DC转换器则承担着在车载系统中进行电压调节与转 ...

2月11日，露笑科技涨4.30%，成交额20.22亿元，换手率13.24%，总市值158.65亿元。 根据AI大模型测算露笑科技后市走势。短期趋势看，该股当前无连续增减仓现象，主力趋势不明显。主力没有控盘。中期趋势方面，下方累积一定获利筹码。近期该股有吸筹现象，但吸筹力度不强。舆情分析来看，目前市场情绪极度悲观。 1、2024年9月30日关于对深圳万德溙光电科技有限公司增资的公告：露笑科技股份有限 ...

2025年1月24日，拥有国内最具竞争力功率半导体器件产品体系的A股首家半导体器件领域上市企业——华微电子，发布了其2024全年业绩预告。公告称，得益于IPM等产品销售订单增加，销售收入上涨，毛利额增加，公司预计2024年度实现归属于上市公司股东的净 ...

本文所介绍的 GaN微波二极管采用 AlGaN/GaN异质结材料,强自发极化与压电极化在异质结界面产生 2-DEG,具备约 10 13 /cm 2 量级的电子面密度和高达2000cm 2 /V·s的迁移率,这些优势都更有利于其制作微波二极管,发展成熟的 GaN微波HEMT器件可以为结构类似的 GaN微波二极管 ...

另外一项消息则是Wolfspeed前CEO Gregg Lowe加入PI董事会，此前Gregg曾经在 飞思卡尔 担任CEO，以及德州仪器担任模拟业务高级副总裁。“他对销售和分销领域的广泛理解，以及在汽车和工业等主要终端市场的深厚客户关系，以及模拟和 功率半导体 方面的经验，使他成为理想人选。” ...