IT之家1 月 21 日消息，韩媒 ETNews 今日报道称，三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局，已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。 据悉该新版 12nm 级 DRAM 工艺项目名为 D1B-P（IT之家注：P 为 Prime 的简写 ...