最后，对于中芯国际面临的技术瓶颈，王国辉承认，中国目前确实无法获得ASML的EUV光刻机，而这些设备是在尖端节点上生产芯片所需的。 然而 ...

而王国辉突然表态看好中芯国际，认为中国国内市场庞大且具备一定的“隔离效应”，中芯国际缺的是一台国产EUV光刻机，一旦有公司成功研发出EUV光刻设备，那么芯片战就会结束。 这背后是看到了国产EUV光刻机技术突破越来越近，中芯国际未来或有望实现跨越 ...

而王国辉突然表态看好中芯国际，认为中国国内市场庞大且具备一定的“隔离效应”，中芯国际缺的是一台国产EUV光刻机，一旦有公司成功研发出EUV ...

EUV光刻机的波长为13.5nm，而100KeV电子束的波长只有0.004nm，波长短使其在分辨率方面与EUV相比有绝对的优势，也使得电子束能够实现EUV光刻都实现不了 ...

EUV多层膜元件是EUV光学系统的核心光学元件，通过周期性膜层结构设计可以在特定波长和入射角度条件下获得尽可能高的反射 ...

9月，佳能交付了一种技术的首个商业版本，该技术有朝一日可能颠覆最先进硅芯片的制造方式。这种技术被称为纳米压印光刻技术（NIL，nanoimprint lithography），它能够绘制出小至14纳米的电路特征——使逻辑芯片达到与英特尔、超微半导体（AMD）和英伟达现正 ...

最后，对于中芯国际面临的技术瓶颈，王国辉承认，中国目前确实无法获得 ASML 的 EUV 光刻机，而这些设备是在尖端节点上生产芯片所需的。然而 ...

一种基于铥元素的拍瓦级（petawatt-class）铥激光器（thulium laser），有望大幅提升芯片制造效率，开启“超越EUV”的新时代。 在半导体制造领域，极紫外光刻（EUV）技术一直是推动芯片制造先进工艺发展的关键。然而，当前的EUV光刻系统面临着能耗高、成本昂贵等 ...

中国高端制造再传捷报！据哈尔滨工业大学消息，该校航天学院赵永蓬教授团队研发的放电等离子体极紫外（EUV）光刻光源，凭借颠覆性技术成果，荣获2024黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖。这一技术的突破，不仅绕过了ASML的技术壁垒 ...

制造尖端芯片不可或缺的EUV（极紫外）光刻设备即将登陆日本。日本Rapidus（位于东京千代田区）将于2024年内在千岁工厂(北海道千岁市)引进，这将是日本国内首次引进。将由世界上唯一制造EUV光刻设备的荷兰阿斯麦(ASML)提供。 以Rapidus为开端，日本的 ...