哈尔滨工业大学发布消息，EUV光刻机的光源技术取得了重大突破——“放电等离子体极紫外光刻光源”项目荣获了黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖。 早在2023年，哈尔滨工业大学航天学院某研究团队研发的"放电等离子体极紫外光刻光源"项目脱颖而出。

香港知名科技媒体南华早报报道：美国对中国芯片产业的限制愈演愈烈，但中国科学家们通过开辟创新路径，在极紫外（EUV）光刻技术领域取得了重大突破。据香港观察人士称，2023年12月30日，哈尔滨工业大学的研究团队在黑龙江省高校科研人员创新成果转化大赛中荣获一等奖，展示了他们研发的"放电等离子体极紫外光刻光源"技术。

近期，哈尔滨工业大学（哈工大）在高端科技领域取得了显著进展，其研发的“放电等离子体极紫外光刻光源”项目荣获黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖。这一令人瞩目的成果不仅展示了哈工大的雄厚研究能力，也为中国半导体行业的发展增添了新的动力。

在电力消耗方面，FEL光源也要远低于EUV-LPP光源。 不过，这项技术也与前文提到的激光器类似，解决的是EUV光源的问题。 值得注意的是，EUV-FEL还可 ...

相比LPP技术，LDP方法更为简单、成本更 ... 自2008年以来，赵永鹏一直致力于放电等离子体EUV光源的研发。此次获奖表明他的团队可能在这一领域取得 ...

目前的EUV光刻机系统当中的EUV光源，被称为激光等离子体EUV光源（EUV-LPP），是通过30千瓦功率的二氧化碳激光器轰击以每秒50000滴的速度从喷嘴内喷 ...

最终能够提供足够明亮的 EUV 光源的技术称为激光等离子体 (EUV-LPP)。它使用二氧化碳激光器每秒数千次将熔融的锡滴喷射成等离子体。等离子体发射 ...