金融界2025年1月31日报道，苏州华太电子技术股份有限公司近日在国家知识产权局申请了一项名为《一种GaN HEMT器件》的专利（公开号CN119384002A），标志着该公司在高电子迁移率晶体管（HEMT）领域的技术进步。本次专利申请于2024年12月提交，涉及一种新的GaN HEMT器件结构，可能为未来的半导体技术应用提供新的解决方案。

在当前科技飞速发展的背景下，半导体技术的创新成为提升智能设备性能的关键。今年1月，苏州华太电子技术股份有限公司成功申请了一项名为"一种GaN HEMT器件"的专利，这标志着其在GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）领域的重要突破。根据国家知识产权局的公示信息，该专利于2024年12月提出，旨在提供一种全新的GaN HEMT器件结构，期待将对电子设备的性能产生深远影响。

芝能智芯出品随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段，氮化镓（GaN）凭借高电子迁移率和开关速度的优势，在低功耗和部分高压应用中展现出强大的竞争力。通过与硅（Si）和碳化硅（SiC）等材料的结 ...

GaN HEMT和GaN MOSFET都是基于氮化镓(GaN)材料的半导体器件，但它们是不同的器件类型。 GaN HEMT代表高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor），它利用氮化镓材料的高电子迁移率来实现高速 ...

在 HEMT 中，2DEG 区域位于电容器的两个极板之间。在耗尽型器件中，当顶极板（栅极）为正时，它会在另一极板上感应出正电荷。负载流子（电子 ...

1月10日，据外媒报道，日本名古屋大学和松下汽车系统公司的团队正在开发一种用于电动汽车 (EV) 的紧凑型车载充电器 (OBC)，该充电器采用了基于GaN单晶衬底的1200V 横向GaN HEMT器件。 近年来 ...

然而，当下 GaN 集成技术仍存在诸多局限。一方面，GaN HEMT 仅能作为 N 型晶体管运行，致使器件功能多样性匮乏，难以充分满足复杂的集成电路设计 ...

本文件适用于适用于封装级GaN HEMT器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。 电子科技大学功率集成技术实验室 ...

今年1月，苏州华太电子技术股份有限公司成功申请了一项名为"一种GaN HEMT器件"的专利，这标志着其在GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT ...

氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）具有低导通电阻和高开关速度的特点，特别适合于低电压和高频率应用。然而，在高压场景下，单一 GaN 器件性能 ...