2025年2月14日，江西兆驰半导体有限公司获得了一项名为“种LED芯片结构”的专利，授权公告号CN222442211U。这项专利的申请时间为2024年2月，旨在解决当前LED芯片在发光过程中所面临的遮挡问题，标志着该公司在LED芯片领域的重要技术突破。这项实用新型专利的核心在于一项全新的LED芯片结构，其主要包括衬底和沉积在其上的外延层。外延层由多个重要组成部分构成，包括GaN层、N型电极、透明 ...

近日，江西兆驰半导体有限公司取得了一项引人注目的专利，名为“种LED芯片结构”，这一消息在业内引发了广泛关注。这项新技术的突破，标志着LED技术的进一步发展，同时为改善发光效率和芯片性能提供了重要保障。

过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此，在本文中，我们先对氮化镓未来的发展进行分析，并讨论了垂直氮化镓器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。

HKC 惠科宣布成功研发全球首款硅基 GaN 单芯集成全彩 Micro LED 芯片在微间距 LED 大屏直显领域的应用。这项技术基于立琻半导体 SiMiP 芯片共同研发 ...