快科技1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）正在研究一种效率比传统CO2 EUV激光器高10倍的激光器，这将为下一代EUV光刻技术发展奠定 ...

历经六十余载发展，成就斐然。 在产品方面，以半导体光罩与晶圆检测设备为主，核心产品 EUV 光刻制造测试设备更是独树一帜，全球唯有它为 EUV ...

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。

一种基于铥元素的拍瓦级（petawatt-class）铥激光器（thulium laser），有望大幅提升芯片制造效率，开启“超越EUV”的新时代。 在半导体制造领域，极紫外光刻（EUV）技术一直是推动芯片制造先进工艺发展的关键。然而，当前的EUV光刻系统面临着能耗高、成本昂贵等 ...

该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的 10 倍，并有望在多年后取代光刻系统中的 CO2 激光器。 过去数十年来 ...

这些计算机芯片推动了当今人工智能、高性能超级计算机和智能手机领域的惊人创新。 如今，由LLNL领导的一个新的研究合作伙伴关系旨在为下一代极紫外（EUV）光刻技术奠定基础，该技术围绕实验室开发的驱动系统——大口径铥（BAT）激光系统展开。这一突破 ...

NIL 系统提供的优势可能会挑战价值 1.5 亿美元的机器，这些机器在当今先进的芯片制造中占据主导地位，即极紫外 （EUV） 光刻扫描仪。如果佳能是 ...

Extreme-ultraviolet (EUV) lithography at 13.5 nm is expected to be introduced in high-volume semiconductor chip production over the next three years. Research is now underway to investigate sub-10 ...

Current EUV pellicles struggle to withstand the extreme conditions of high-power EUV scanners, leading to performance issues. The potential of carbon nanotubes: CNT-based EUV pellicles offer ...

This is because all matter, including air, absorbs EUV radiation. For scanner manufacturers, this has two major consequences. First, it means that all the optical elements responsible for the ...

Russia has unveiled a roadmap to develop its own lithography machines, aiming to create less costly and complex equipment than ASML's systems, according to CNews. These machines will use lasers ...