这些计算机芯片推动了当今人工智能、高性能超级计算机和智能手机领域的惊人创新。 如今，由LLNL领导的一个新的研究合作伙伴关系旨在为下一代极紫外（EUV）光刻技术奠定基础，该技术围绕实验室开发的驱动系统——大口径铥（BAT）激光系统展开。这一突破 ...

快科技1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）正在研究一种效率比传统CO2 EUV激光器高10倍的激光器，这将为下一代EUV光刻技术发展奠定 ...

9月，佳能交付了一种技术的首个商业版本，该技术有朝一日可能颠覆最先进硅芯片的制造方式。这种技术被称为纳米压印光刻技术（NIL，nanoimprint lithography），它能够绘制出小至14纳米的电路特征——使逻辑芯片达到与英特尔、超微半导体（AMD）和英伟达现正 ...

历经六十余载发展，成就斐然。 在产品方面，以半导体光罩与晶圆检测设备为主，核心产品 EUV 光刻制造测试设备更是独树一帜，全球唯有它为 EUV ...

该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的 10 倍，并有望在多年后取代光刻系统中的 CO2 激光器。 过去数十年来 ...

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。

NIL 系统提供的优势可能会挑战价值 1.5 亿美元的机器，这些机器在当今先进的芯片制造中占据主导地位，即极紫外 （EUV） 光刻扫描仪。如果佳能是 ...