该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的 10 倍，并有望在多年后取代光刻系统中的 CO2 激光器。 过去数十年来 ...

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。

快科技1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）正在研究一种效率比传统CO2 EUV激光器高10倍的激光器，这将为下一代EUV光刻技术发展奠定 ...

一种基于铥元素的拍瓦级（petawatt-class）铥激光器（thulium laser），有望大幅提升芯片制造效率，开启“超越EUV”的新时代。 在半导体制造领域，极紫外光刻（EUV）技术一直是推动芯片制造先进工艺发展的关键。然而，当前的EUV光刻系统面临着能耗高、成本昂贵等 ...

NIL 系统提供的优势可能会挑战价值 1.5 亿美元的机器，这些机器在当今先进的芯片制造中占据主导地位，即极紫外 （EUV） 光刻扫描仪。如果佳能是 ...