GaN 器件将低损耗开关性能和高速完美结合,是能够在兆赫兹地区实现超高带宽的新兴开关电源。这些类型的电源可以提高整体效率,从而为射频基站功率放大器以及相控阵雷达的发射/接收 (T/R) 模块等应用提供快速瞬态响应。
专有的 Combo ICeGaN 解决方案利用了 ICeGaN 和 IGBT 器件具有相似驱动电压范围(例如0-20V)和出色栅极稳健性的特点,让双方在并行架构中运行。由于 ICeGaN ...
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