GaN 器件将低损耗开关性能和高速完美结合，是能够在兆赫兹地区实现超高带宽的新兴开关电源。这些类型的电源可以提高整体效率，从而为射频基站功率放大器以及相控阵雷达的发射/接收 （T/R） 模块等应用提供快速瞬态响应。

专有的 Combo ICeGaN 解决方案利用了 ICeGaN 和 IGBT 器件具有相似驱动电压范围（例如0-20V）和出色栅极稳健性的特点，让双方在并行架构中运行。由于 ICeGaN ...